{"id":195,"date":"2018-03-14T14:57:39","date_gmt":"2018-03-14T17:57:39","guid":{"rendered":"http:\/\/ifimatdev.exa.unicen.edu.ar\/?page_id=195"},"modified":"2018-03-14T14:57:39","modified_gmt":"2018-03-14T17:57:39","slug":"sistemas-complejos","status":"publish","type":"page","link":"https:\/\/ifimat.exa.unicen.edu.ar\/grupos-de-investigacion\/positrones-alfredo-dupasquier\/sistemas-complejos\/","title":{"rendered":"Sistemas Complejos"},"content":{"rendered":"
[vc_row][vc_column][vc_custom_heading source=”post_title” use_theme_fonts=”yes”][vc_separator color=”custom” align=”align_left” border_width=”5″ el_width=”10″ accent_color=”#ffdd00″][vc_column_text]Dentro de esta l\u00ednea de investigaci\u00f3n basicamente se estudian las siguientes tem\u00e1ticas:[\/vc_column_text][vc_custom_heading text=”Perfiles de defectos en pel\u00edculas delgadas y recubrimientos” font_container=”tag:h3|text_align:left” use_theme_fonts=”yes”][vc_separator color=”custom” align=”align_left” border_width=”5″ el_width=”10″ accent_color=”#ffdd00″][vc_column_text]<\/p>\n
Se estudian pel\u00edculas delgadas o recubrimientos de distinta naturaleza, de espesores por debajo de centenares de nan\u00f3metros, tanto en su caracterizaci\u00f3n a escala at\u00f3mica o nanom\u00e9trica como el estudio de la interface film-sustrato y de los cambios inducidos en dichos sistemas como consecuencia de variaciones de par\u00e1metros externos de inter\u00e9s tecnol\u00f3gico. Para el desarrollo de esta tem\u00e1tica se hace uso de haces de positrones lentos disponibles en el Laboratorio IdEA (Fisica Idrogeno, Energia e Ambiente) del Dipartimento di Fisica de la Universit\u00e1 degli Studi di Trento, Italia y en la facility NEPOMUC del reactor FMRII de Munich, Alemania. Este tema de trabajo se desarrolla en colaboraci\u00f3n con el Grupo del Dr. Roberto Brusa, Dipartimento di Fisica de la Universit\u00e1 degli Studi di Trento, Italia.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n
[\/vc_column_text][vc_custom_heading text=”Rol de defectos tipo-vacancia y de impurezas en el proceso de absorci\u00f3n-desorci\u00f3n de hidr\u00f3geno” font_container=”tag:h3|text_align:left” use_theme_fonts=”yes”][vc_separator color=”custom” align=”align_left” border_width=”5″ el_width=”10″ accent_color=”#ffdd00″][vc_column_text]<\/p>\n
Se estudia tanto en forma experimental como te\u00f3rica,cual es el rol de los defectos tipo-vacancia y su asociaci\u00f3n con distintos tipos de impurezas pertenecientes a los metales de transici\u00f3n en el proceso de absorci\u00f3n-desorci\u00f3n de H en el sistema hidruro de magnesio. Se realizan medidas utilizando distintas t\u00e9cnicas positr\u00f3nicas a escala volum\u00e9trica (bulk) tanto en pel\u00edculas nanoestructuradas de Mg como en polvos de MgH2 con la adici\u00f3n de distintos metales y \u00f3xidos met\u00e1licos. Por otra parte, se hacen c\u00e1lculos electr\u00f3nicos y positr\u00f3nicos a primeros principios con el fin de establecer c\u00f3mo los defectos tipo-vacancia y el agregado de distintos dopantes modifican los enlaces metal-metal y metal-H en el hidruro de magnesio. Estos temas es desarrollan en colaboraci\u00f3n con los Grupos del Dr. Roberto Brusa, Dipartimento di Fisica de la Universit\u00e1 degli Studi di Trento, Italia, del Dr. Alfredo Juan del IFISUR, Universidad Nacional de Sur, Argentina y la Dra. Guillermina Urretavizcaya de la Divisi\u00f3n Fisicoqu\u00edmica de Materiales, Centro At\u00f3mico Bariloche, Argentina.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n
[\/vc_column_text][vc_custom_heading text=”Rol de defectos tipo-vacancia e impurezas en la conductividad el\u00e9ctrica de semiconductores” font_container=”tag:h3|text_align:left” use_theme_fonts=”yes”][vc_separator color=”custom” align=”align_left” border_width=”5″ el_width=”10″ accent_color=”#ffdd00″][vc_column_text]<\/p>\n
Se estudian fundamentalmente \u00f3xidos met\u00e1licos y compuestos semiconductores que se utilizan como varistores o sensores de gases. Espec\u00edficamente, se estudian cambios en la conductividad el\u00e9ctrica originados por cambios en la concentraci\u00f3n de defectos tipo-vacancia provocados por la aplicaci\u00f3n de tratamientos el\u00e9ctricos y t\u00e9rmicos en distintas atm\u00f3sferas, tanto reductoras como oxidantes, en compuestos semiconductores tales como ZnO, SnO2, CeO2, BaSnO3, etc. Este tema de trabajo se desarrolla en colaboraci\u00f3n con el Grupo del Dr. Celso Aldo y el Dr. Miguel Ponce del Grupo Catalizadores y Superficies del INTEMA, Universidad Nacional de Mar del Plata, Argentina.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n
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[vc_row][vc_column][vc_custom_heading source=”post_title” use_theme_fonts=”yes”][vc_separator color=”custom” align=”align_left” border_width=”5″ el_width=”10″ accent_color=”#ffdd00″][vc_column_text]Dentro de esta l\u00ednea de investigaci\u00f3n basicamente se estudian las siguientes tem\u00e1ticas:[\/vc_column_text][vc_custom_heading text=”Perfiles de defectos en pel\u00edculas delgadas y [\u2026]<\/span><\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"parent":154,"menu_order":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","template":"","meta":{"footnotes":""},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/ifimat.exa.unicen.edu.ar\/wp-json\/wp\/v2\/pages\/195"}],"collection":[{"href":"https:\/\/ifimat.exa.unicen.edu.ar\/wp-json\/wp\/v2\/pages"}],"about":[{"href":"https:\/\/ifimat.exa.unicen.edu.ar\/wp-json\/wp\/v2\/types\/page"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/ifimat.exa.unicen.edu.ar\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/ifimat.exa.unicen.edu.ar\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=195"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/ifimat.exa.unicen.edu.ar\/wp-json\/wp\/v2\/pages\/195\/revisions"}],"up":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/ifimat.exa.unicen.edu.ar\/wp-json\/wp\/v2\/pages\/154"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/ifimat.exa.unicen.edu.ar\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=195"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}