Se estudian películas delgadas o recubrimientos de distinta naturaleza, de espesores por debajo de centenares de nanómetros, tanto en su caracterización a escala atómica o nanométrica como el estudio de la interface film-sustrato y de los cambios inducidos en dichos sistemas como consecuencia de variaciones de parámetros externos de interés tecnológico. Para el desarrollo de esta temática se hace uso de haces de positrones lentos disponibles en el Laboratorio IdEA (Fisica Idrogeno, Energia e Ambiente) del Dipartimento di Fisica de la Universitá degli Studi di Trento, Italia y en la facility NEPOMUC del reactor FMRII de Munich, Alemania. Este tema de trabajo se desarrolla en colaboración con el Grupo del Dr. Roberto Brusa, Dipartimento di Fisica de la Universitá degli Studi di Trento, Italia.

Se estudia tanto en forma experimental como teórica,cual es el rol de los defectos tipo-vacancia y su asociación con distintos tipos de impurezas pertenecientes a los metales de transición en el proceso de absorción-desorción de H en el sistema hidruro de magnesio. Se realizan medidas utilizando distintas técnicas positrónicas a escala volumétrica (bulk) tanto en películas nanoestructuradas de Mg como en polvos de MgH2 con la adición de distintos metales y óxidos metálicos. Por otra parte, se hacen cálculos electrónicos y positrónicos a primeros principios con el fin de establecer cómo los defectos tipo-vacancia y el agregado de distintos dopantes modifican los enlaces metal-metal y metal-H en el hidruro de magnesio. Estos temas es desarrollan en colaboración con los Grupos del Dr. Roberto Brusa, Dipartimento di Fisica de la Universitá degli Studi di Trento, Italia, del Dr. Alfredo Juan del IFISUR, Universidad Nacional de Sur, Argentina y la Dra. Guillermina Urretavizcaya de la División Fisicoquímica de Materiales, Centro Atómico Bariloche, Argentina.

Se estudian fundamentalmente óxidos metálicos y compuestos semiconductores que se utilizan como varistores o sensores de gases. Específicamente, se estudian cambios en la conductividad eléctrica originados por cambios en la concentración de defectos tipo-vacancia provocados por la aplicación de tratamientos eléctricos y térmicos en distintas atmósferas, tanto reductoras como oxidantes, en compuestos semiconductores tales como ZnO, SnO2, CeO2, BaSnO3, etc. Este tema de trabajo se desarrolla en colaboración con el Grupo del Dr. Celso Aldo y el Dr. Miguel Ponce del Grupo Catalizadores y Superficies del INTEMA, Universidad Nacional de Mar del Plata, Argentina.